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• Desarrollo y depuración de microcontroladores y sistemas embebidos
• Corriente nominal de salida: 2 A
• Aumenta la durabilidad del dispositivo al mantener temperaturas óptimas
4 pulgadas TFT LCD con resolución 320 x 240 pixeles• Consumo de corriente: 120 ma CARACTERÍSTICAS • Dimensiones: 117 x 76 x 15 mm
IRF520 Transistor MOSFET Canal N 100V 9.2A TO-220-3 100 • Desarrollo y depuración deEl IRF520 es un transistor MOSFET de canal N diseado para aplicaciones de conmutacin y control de alta eficiencia. Este componente es ideal para circuitos de potencia, gracias a su alta capacidad de manejo de corriente y voltaje, con un diseo compacto y confiable que facilita su integracin en diversos proyectos electrnicos. ESPECIFICACIONES TCNICAS Tecnologa: Silicio (Si) Estilo de montaje: Through Hole (orificio pasante) Encapsulado: TO 220 3
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